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NTLUS3A39PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
90
80
70
60
50
40
R q JA = 85 ° C/W
Duty Cycle = 0.5
30
20
10
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0
1E ? 06
1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02 1E ? 01
t, TIME (s)
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
Figure 13. FET Thermal Response
DEVICE ORDERING INFORMATION
Device
NTLUS3A39PZTAG
NTLUS3A39PZTBG
Package
UDFN6
(Pb ? Free)
UDFN6
(Pb ? Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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NTLUS3A90PZTBG 功能描述:IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 3A 60 MO RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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